Temperature stable high K microwave dielectric ceramics of Bi3NbO7 doped by V2O5
Temperature stable high K microwave dielectric ceramics of Bi3NbO7 doped by V2O5
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V2O5 掺杂 Bi3NbO7 温度稳定高 K 微波介质陶瓷
DOI：
10.1016/j.ceramint.2014.12.024
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发表时间：
2015-04
影响因子：
5.2
通讯作者：
Di Zhou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li-Xia Pang;Wei-Guo Liu;Di Zhou
采用固相反应法制备了低温烧微波介质陶瓷Bi3(Nb1−xVx)O7(x=0.0、0.1、0.2、0.3、0.5)。研究了烧结行为、晶体结构、微观结构和微波介电性能。当x=0.1和0.2时，在Bi3(Nb1−xVx)O7体系中获得了具有高介电常数的温度稳定的低烧微波介电陶瓷。在 870 °C 下烧结 2 h 的 Bi3(Nb0.9V0.1)O7 和 Bi3(Nb0.8V0.2)O7 陶瓷分别具有 80 和 76 的高介电常数、615 和 460 GHz 的 Qf（品质因数）值以及 -22 和 +3.3 ppm/°C 的 TCF（频率温度系数）值。
Low firing microwave dielectric ceramics Bi3(Nb1−xVx)O7(x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, and 0.5) were prepared by the solid state reaction method. Sintering behavior, crystalline structure, microstructure, and microwave dielectric properties were studied. Temperature stable low-firing microwave dielectric ceramics with high permittivity were obtained in the Bi3(Nb1−xVx)O7system whenx=0.1 and 0.2. The Bi3(Nb0.9V0.1)O7and Bi3(Nb0.8V0.2)O7ceramics sintered at 870 °C for 2 h were found to possess high permittivity of 80 and 76, Qf (quality factor) values of 615 and 460 GHz, and TCF (temperature coefficient of frequency) values of −22 and+3.3 ppm/°C, respectively.
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影响因子：
3.2
作者：
SHANNON, RD
通讯作者：
SHANNON, RD
DOI：
10.1109/mtttwa.1999.755160
发表时间：
1999
期刊：
1999 IEEE MTT-S International Topical Symposium on Technologies for Wireless Applications (Cat. No. 99TH8390)
影响因子：
--
作者：
B. Geller;B. Thaler;A. Fathy;M. Liberatore;H.D. Chen;G. Ayers;V. Pendrick;Y. Narayan
通讯作者：
B. Geller;B. Thaler;A. Fathy;M. Liberatore;H.D. Chen;G. Ayers;V. Pendrick;Y. Narayan
影响因子：
3.9
作者：
A. Borisevich;P. Davies
通讯作者：
A. Borisevich;P. Davies
影响因子：
3.9
作者：
A. Templeton;Xiaoru Wang;S. Penn;S. Webb;L. Cohen;N. Alford
通讯作者：
A. Templeton;Xiaoru Wang;S. Penn;S. Webb;L. Cohen;N. Alford
影响因子：
3.9
作者：
M. Valant;D. Suvorov
通讯作者：
M. Valant;D. Suvorov