Heteroepitaxial growth and properties of crystals of CdTe on GaAs substrates
Heteroepitaxial growth and properties of crystals of CdTe on GaAs substrates
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GaAs 衬底上 CdTe 晶体的异质外延生长及其性能
DOI：
10.1117/12.739476
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Choubey A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Choubey A
本文报道了使用种子气相技术在商用50mm直径（211）B GaAs衬底上生长CdTe的大块晶体。以~ 120 μm/h的线性生长速率在砷化镓表面生长出厚度达几mm的高质量晶体。双轴和三轴XRD表征表明，最佳晶体θ-2θ fwhm θ值为~ 24弧秒，对应于低应变色散（< 2×10-4）。摇摆曲线扫描包括两到三个尖峰，表明有一些小的镶嵌。非接触电阻率的平均值为4.4 × 109±1.6 × 109Ω cm。红外显微镜观察发现，在显微镜分辨率（~ 5 μm）范围内，Te夹杂物非常少。
This paper reports on the use of a seeded vapour phase technique to grow bulk crystals of CdTe onto commercially available 50 mm diameter (211)B GaAs substrates. High quality crystals, several mm in thickness were grown on the GaAs at linear growth rates of ~ 120 μm/h. Characterisation by double and triple axis XRD showed the best crystals to have θ-2θ FWHMθvalues of ~ 24 arc sec corresponding to low strain dispersion (< 2×10-4). Rocking curve scans included two to three sharp peaks, indicative of some small mosaicity. When mapped across a the surface of the crystal, the FWHM was uniform and < 93 arc sec. Contactless resistivity showed a similar degree of uniformity with a mean value of 4.4 × 109± 1.6 × 109Ω cm. Infrared microscopy showed that within the resolution of the microscope (~ 5 μm) there were very few Te inclusions.
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