First-principles calculation of electronic structures of stacking-fault tetrahedra in epitaxialized Si films
First-principles calculation of electronic structures of stacking-fault tetrahedra in epitaxialized Si films
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外延硅薄膜中堆垛层错四面体电子结构的第一性原理计算
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Nakayama;et. al. (partial contributor);H.Ishii;T.Nakayama;M.Oda;T.Nakayama;S.Kajita;R.Kobayashi;H. Ishii;H. Ishii;T. Nakayama;R. Kobayashi
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