Reduction of dislocation density in AlGaN with high AlN molar fraction by using a rugged AlN epilayer
Reduction of dislocation density in AlGaN with high AlN molar fraction by using a rugged AlN epilayer
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通过使用坚固的 AlN 外延层降低具有高 AlN 摩尔分数的 AlGaN 中的位错密度
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akira Ishiga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Hashimoto;A.Yanase;R.Asano;H.Tanaka;H.Bang;K.Akimoto;H.Asahi;Akira Ishiga
AlN缓冲层对金属有机气相外延AlGaN/α-Al2O3异质外延生长的影响
DOI：
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发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Koide;N. Itoh;K. Itoh;N. Sawaki;I. Akasaki
通讯作者：
I. Akasaki
在 AlN(0001) 模板上生长的无裂纹 AlxGa1−xN 中螺纹位错的 TEM 分析
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
N. Kuwano;T. Tsuruda;Yoshihiro Kida;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata
通讯作者：
T. Shibata