Quantum-level control in a III-V-based ferromagnetic-semiconductor heterostructure with a GaMnAs quantum well and double barriers
Quantum-level control in a III-V-based ferromagnetic-semiconductor heterostructure with a GaMnAs quantum well and double barriers
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具有 GaMnAs 量子阱和双势垒的 III-V 族铁磁半导体异质结构中的量子级控制
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masaaki Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shinobu Ohya;Iriya Muneta;Masaaki Tanaka
影响因子：
3.7
作者：
S. Ohya;P. Hai;Y. Mizuno;M. Tanaka
通讯作者：
S. Ohya;P. Hai;Y. Mizuno;M. Tanaka
基极接触量子阱的三端双势垒谐振隧道器件
DOI：
10.1109/smicnd.1997.651566
发表时间：
1997
期刊：
1997 International Semiconductor Conference 20th Edition. CAS '97 Proceedings
影响因子：
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作者：
M. Lepsa;T. van de Roer;J. Kwaspen;E. Smalbrugge;W. van der Vleuten;L. Kaufmann
通讯作者：
L. Kaufmann
跨自旋阀的依赖于能量的热电子传输
影响因子：
2.1
作者：
K. Mizushima;T. Kinno;T. Yamauchi;Kenji Tanaka
通讯作者：
Kenji Tanaka