Accurate calibration for the quantification of the Al content in AlGaN epitaxial layers by energy-dispersive X-ray spectroscopy in a Transmission Electron Microscope
Accurate calibration for the quantification of the Al content in AlGaN epitaxial layers by energy-dispersive X-ray spectroscopy in a Transmission Electron Microscope
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通过透射电子显微镜中的能量色散 X 射线光谱准确定量 AlGaN 外延层中的 Al 含量
DOI：
10.1088/1742-6596/326/1/012028
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Amari H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Amari H
由于III族氮化物的能带结构在室温下呈现出带隙能量覆盖从（GaN）的3.4eV到（AlN）的6.2eV范围的直接电子跃迁以及高热导率，氮化铝镓（AlGaN）是高功率和高温电子器件以及短波长（可见光和紫外光）光电器件的强有力候选者。我们在这里报告的研究，通过能量过滤透射电子显微镜（EFTEM）和能量色散X射线光谱（EDXS）的微观结构和元素分布在不同的氮化铝镓外延层生长的不同的研究小组。概述了校准程序，该校准程序可使EDXS中的Al含量精确度在0.01 at%以内。
Since the band structure of group III-nitrides presents a direct electronic transition with a band-gap energy covering the range from 3.4 eV for (GaN) to 6.2 eV (for AlN) at room temperature as well as a high thermal conductivity, aluminium gallium nitride (AlGaN) is a strong candidate for high-power and high-temperature electronic devices and short-wavelength (visible and ultraviolet) optoelectronic devices. We report here a study by energy-filtered transmission electron microscopy (EFTEM) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDXS) of the micro structure and elemental distribution in different aluminium gallium nitride epitaxial layers grown by different research groups. A calibration procedure is out-lined that yields the Al content from EDXS to within∼ 1 at% precision.
在透射电子显微镜中通过能量色散 X 射线光谱研究的 (In)GaAs 样品的实验和理论 X 射线强度的比较
DOI：
10.1088/1742-6596/209/1/012029
发表时间：
2010
期刊：
Journal of Physics: Conference Series
影响因子：
--
作者：
T. Walther
通讯作者：
T. Walther
用于 LED 应用的 (In)GaN 的 MBE 生长
DOI：
10.1557/proc-449-149
发表时间：
1996
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
H. Riechert;R. Averbeck;A. Graber;M. Schienle;U. Strauβ;H. Tews
通讯作者：
H. Tews