InAs Nanowire Circuits Fabricated by Field-Assisted Self-Assembly on a Host Substrate
InAs Nanowire Circuits Fabricated by Field-Assisted Self-Assembly on a Host Substrate
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在主基板上通过场辅助自组装制造 InAs 纳米线电路
DOI：
10.1587/transele.e95.c.1369
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
W Prost
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K Blekker;R. Richter;R. Oda;S. Taniyama;O. Benner;G. Keller;B Münstermann;A. Lysov;I. Regolin. T. Waho;W Prost
使用具有超薄有机栅极电介质的顶栅氧化锌纳米线晶体管的集成电路
DOI：
10.1109/iedm.2009.5424286
发表时间：
2009
期刊：
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
D. Kälblein;H. J. Bottcher;R. Thomas Weitz;U. Zschieschang;Klaus Kern;H. Klauk
通讯作者：
H. Klauk
使用 ECR-PECVD 进行 IIIV 半导体微电子剥离技术的 SiNx 室温沉积
影响因子：
3.5
作者：
A. Wiersch;C. Heedt;S. Schneiders;R. Tilders;F. Buchali;W. Kuebart;W. Prost;F. Tegude
通讯作者：
F. Tegude
影响因子：
1.4
作者：
A. Motayed;Maoqi He;A. Davydov;J. Melngailis;S. Mohammad
通讯作者：
S. Mohammad