The effects of disorder and interactions on the Anderson transition in doped graphene
The effects of disorder and interactions on the Anderson transition in doped graphene
复制标题
无序和相互作用对掺杂石墨烯安德森转变的影响
DOI：
10.1088/0953-8984/23/20/205501
复制
发表时间：
2010-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Shiping Feng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yun Song;Hongkang Song;Shiping Feng
我们进行了一个精确的数值研究的影响，无序的安德森本地化的电子状态在石墨烯。通过对参与比倒数和几何平均态密度的标度行为分析，发现猝灭无序的存在可以引入安德森金属-绝缘体跃迁.与传统的局域化图像相比，在特定的无序强度和杂质浓度下，可以观察到蜂窝晶格的四个迁移率边。考虑到相互作用对无序势的屏蔽作用，可以通过考察相互作用和无序的影响来解释水坑尺度扩大的实验结果。
We undertake an exact numerical study of the effects of disorder on the Anderson localization of electronic states in graphene. Analyzing the scaling behaviors of inverse participation ratio and geometrically averaged density of states, we find that the Anderson metal–insulator transition can be introduced by the presence of quenched random disorder. In contrast with the conventional picture of localization, four mobility edges can be observed for the honeycomb lattice with specific disorder strength and impurity concentration. Considering the screening effects of interactions on disorder potentials, the experimental findings of the scale enlargements of puddles can be explained by reviewing the effects of both interactions and disorder.
登录
查看更多内容
DOI：
10.2529/piers071107141648
发表时间：
2007-07
期刊：
Piers Online
影响因子：
--
作者：
G. Naumis
通讯作者：
G. Naumis
DOI：
10.1007/bf01325284
发表时间：
1980-09
期刊：
Zeitschrift für Physik B Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
F. Wegner
通讯作者：
F. Wegner
影响因子：
8.6
作者：
Byczuk, K;Hofstetter, W;Vollhardt, D
通讯作者：
Vollhardt, D
影响因子：
3.7
作者：
K. Ziegler
通讯作者：
K. Ziegler
影响因子：
3.7
作者：
G. Schubert;J. Schleede;H. Fehske
通讯作者：
G. Schubert;J. Schleede;H. Fehske