Carbon Reduction in GaAsN Thin Films by Flow-Rate-Modulated Chemical Beam Epitaxy
Carbon Reduction in GaAsN Thin Films by Flow-Rate-Modulated Chemical Beam Epitaxy
复制标题
通过流量调制化学束外延减少 GaAsN 薄膜中的碳
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Nishimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nishimura;H. Suzuki;K. Saito;Y. Ohshita;N. Kojima;and M. Yamaguchi;H. Suzuki;K. Nishiumura;K. Nishimura
使用 MMHy 或 DMHy 作为氮源通过化学束外延生长的 GaAsN 薄膜中的碳掺入过程
影响因子：
2.1
作者：
H. Suzuki;K. Nishimura;H. Lee;Y. Ohshita;N. Kojima;M. Yamaguchi
通讯作者：
M. Yamaguchi
以一甲肼为氮源的 GaAsN 薄膜的化学束外延
影响因子：
1.5
作者：
K. Nishimura;H. Lee;Hidetoshi Suzuki;Y. Ohshita;M. Yamaguchi
通讯作者：
M. Yamaguchi
DOI：
10.1143/jjap.35.1273
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Kondow, M;Uomi, K;Yazawa, Y
通讯作者：
Yazawa, Y