Photoemission study on interfacial reaction of Ti/n-type GaN
Photoemission study on interfacial reaction of Ti/n-type GaN
复制标题
Ti/n型GaN界面反应的光电子研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Hamamatsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Naono;J.Okabayashi;S.Toyoda;H.Fujioka;M.Oshima;H.Hamamatsu
后处理对四(二甲基氨基)钛和氨原子层沉积 TiN 薄膜的影响
DOI：
10.1143/jjap.41.l418
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Yun;E. Choi;C. Jang;Choon
通讯作者：
Choon
Ti/Au/Pd/Au 多层欧姆接触与 n-GaN 的温度和掺杂相关电阻率
影响因子：
3.2
作者：
Changzhi Lu;Hong;Xiaoliang Lv;Xuesong Xie;S. Mohammad
通讯作者：
S. Mohammad