Influence of freely diffusing excitons on the photoluminescence spectrum of Si thick films with depth distribution of strain
Influence of freely diffusing excitons on the photoluminescence spectrum of Si thick films with depth distribution of strain
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自由扩散激子对应变深度分布的硅厚膜光致发光光谱的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Wang;H.Yang;T.Kitamura;H.Nakashima
SI 上拉伸应变、精确应变补偿和压缩应变 SI1-X-YGEXCY 层的光致发光
影响因子：
8.6
作者：
O. Schmidt;K. Eberl
通讯作者：
K. Eberl
影响因子：
4
作者：
R. Hammond;R. Silver
通讯作者：
R. Silver