Electron Spin Resonance in GaN Thin Film Doped with Fe
Electron Spin Resonance in GaN Thin Film Doped with Fe
复制标题
Fe 掺杂 GaN 薄膜中的电子自旋共振
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Kashiwagi;et. al.
登录
查看更多内容
GaN 中 Fe3 中心的塞曼光谱
影响因子：
4
作者：
R. Heitz;P. Thurian;I. Loa;L. Eckey;A. Hoffmann;I. Broser;K. Pressel;B. Meyer;E. N. Mokhov
通讯作者：
E. N. Mokhov
用于制备半绝缘 GaN 衬底的掺铁厚 GaN 层的生长
影响因子：
1.5
作者：
Y. Kumagai;K. Takemoto;H. Murakami;A. Koukitu
通讯作者：
A. Koukitu
GaN中Cu(d9)的电子顺磁共振
影响因子：
3.7
作者：
C. Bozdog;K. Chow;G. D. Watkins;H. Sunakawa;Naotaka Kuroda;A. Usui
通讯作者：
A. Usui
电子顺磁共振识别 GaN 块状晶体中铁过渡族痕量杂质
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.258-263.1167
发表时间：
1997
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
P. Baranov;I. V. Ilyin;E. N. Mokhov
通讯作者：
E. N. Mokhov
氧化锌中三价 Fe57 的顺磁共振
DOI：
--
发表时间：
1962
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Walsh;L. W. Rupp
通讯作者：
L. W. Rupp