Homoepitaxial diamond films grown on vicinal substrates by high-power microwave plasma CVD
Homoepitaxial diamond films grown on vicinal substrates by high-power microwave plasma CVD
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高功率微波等离子体CVD在邻位衬底上生长同质外延金刚石薄膜
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Kawashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本琢也;他;S.Kawashima
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DOI：
10.1002/pssa.200776331
发表时间：
2007
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
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作者：
A. Secroun;O. Brinza;A. Tardieu;J. Achard;F. Silva;X. Bonnin;K. De Corte;A. Anthonis;M. Newton;J. Ristein;P. Geithner;A. Gicquel
通讯作者：
A. Gicquel
重硼掺杂同质外延金刚石薄膜的光电子发射
影响因子：
4.1
作者：
D. Takeuchi;N. Tokuda;M. Ogura;S. Yamasaki
通讯作者：
S. Yamasaki
影响因子：
4.1
作者：
O. Maida;H. Miyatake;T. Teraji;T. Ito
通讯作者：
O. Maida;H. Miyatake;T. Teraji;T. Ito
进一步提高同质外延CVD金刚石的高结晶质量
影响因子：
4.1
作者：
H. Miyatake;K. Arima;O. Maida;T. Teraji;T. Ito
通讯作者：
T. Ito
(001)面邻角对高功率微波等离子体化学气相沉积高质量同质外延金刚石薄膜硼掺杂特性的影响
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Journal of Crystal Growth 309
影响因子：
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作者：
K. Arima;H. Miyatake;T. Terajiand T. Ito
通讯作者：
T. Terajiand T. Ito