Sanford-Burnham Institute/University of California San Diego(米国)
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桑福德伯纳姆研究所/加州大学圣地亚哥分校（美国）
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粗糙石墨和碳化硅偏滤器表面的入射离子角和材料侵蚀的计算研究
影响因子：
2.2
作者：
S. Abe;C. H. Skinner;A. Liu;J. Garcia;Z. Lin;S. Bringuier;T. Abrams;B. Koel
通讯作者：
B. Koel
DOI：
10.1016/s0022-3115(02)01358-2
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Causey
通讯作者：
R. Causey
评估 DIII-D 偏滤器中碳化硅基材料的侵蚀和保留*
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
Stefan Bringuier;T. Abrams;E. Unterberg;D. Rudakov;G. Vasudevamurthy;S. Gonderman;R. Wilcox;D. Buchenauer;W. Wampler;G. Shaw;B. Wirth;Daniel Thomas;L. Holland
通讯作者：
L. Holland
不同基底温度下生长的碳化钨薄膜的行为
DOI：
10.1109/eexpolytech56308.2022.9951001
发表时间：
2022
期刊：
2022 International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech)
影响因子：
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作者：
Shristi Bist;R. Pandey;Sejal P. Shah;A. Mangababu;P. Kalita;Amita Chawla;D. Avasthi
通讯作者：
D. Avasthi
W-SiC/SiC 双层瓷砖在 LHD 等离子体暴露下的行为
DOI：
10.1016/j.jnucmat.2013.08.004
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Mohrez;H. Kishimoto;Y. Kohno;S. Hirotaki;A. Kohyama
通讯作者：
A. Kohyama