In-Plane MEMS Shallow Arch Beam for Mechanical Memory.
In-Plane MEMS Shallow Arch Beam for Mechanical Memory.
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DOI：
10.3390/mi7100191
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发表时间：
2016-10-18
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Younis MI
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hafiz MAA;Kosuru L;Ramini A;Chappanda KN;Younis MI
我们展示了一种基于面内微机电系统（MEMS）夹持-夹持梁谐振器的非线性动力学的存储器件，该谐振器被故意制造为浅拱。拱形梁由硅制成，并被静电驱动。该概念依赖于源自拱曲率的固有二次非线性，这导致产生滞后和共存运动状态的软化行为。由于它独立于静电力，这种非线性在操作条件下提供了更大的灵活性，并允许更低的致动电压。实验结果是通过电气特性设置产生的。结果表明，两个振动状态之间的切换与直流（DC）偏置电压的变化，从而证明了记忆的概念。
We demonstrate a memory device based on the nonlinear dynamics of an in-plane microelectromechanical systems (MEMS) clamped–clamped beam resonator, which is deliberately fabricated as a shallow arch. The arch beam is made of silicon, and is electrostatically actuated. The concept relies on the inherent quadratic nonlinearity originating from the arch curvature, which results in a softening behavior that creates hysteresis and co-existing states of motion. Since it is independent of the electrostatic force, this nonlinearity gives more flexibility in the operating conditions and allows for lower actuation voltages. Experimental results are generated through electrical characterization setup. Results are shown demonstrating the switching between the two vibrational states with the change of the direct current (DC) bias voltage, thereby proving the memory concept.
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影响因子：
2.5
作者：
NAYFEH, AH;KREIDER, W;ANDERSON, TJ
通讯作者：
ANDERSON, TJ
DOI：
10.1016/j.ijengsci.2014.10.004
发表时间：
2015-01-01
影响因子：
6.6
作者：
Ghayesh, Mergen H.;Farokhi, Hamed
通讯作者：
Farokhi, Hamed
影响因子：
2.7
作者：
Kaajakari, V;Mattila, T;Seppä, H
通讯作者：
Seppä, H
影响因子：
3.1
作者：
HALG, B
通讯作者：
HALG, B
DOI：
10.1088/0960-1317/15/10/008
发表时间：
2005-10-01
影响因子：
2.3
作者：
Nayfeh, AH;Younis, MI
通讯作者：
Younis, MI