Implanted bottom gate for epitaxial graphene on silicon carbide
Implanted bottom gate for epitaxial graphene on silicon carbide
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碳化硅上外延石墨烯的植入底栅
DOI：
10.1088/0022-3727/45/15/154006
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. B. Weber
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Waldmann;J. Jobst;F. Fromm;F. Speck;T. Seyller;M. Krieger;H. B. Weber
我们提出了一种技术来调整外延石墨烯的电荷密度，通过静电栅极是埋在碳化硅衬底。其结果是一种设备，其中石墨烯仍然可以用于进一步的操作或研究。通过将氮或磷注入到碳化硅晶片中以及随后的石墨烯生长，可以使用标准半导体技术常规地制造器件。我们已针对室温和低温操作优化了样品。根据注入剂量和温度，我们在两个选通制度。在第一种中，门控机制类似于MOSFET，第二种是基于碳化硅半导体的调谐空间电荷区。我们提出了一个详细的模型，描述了两个浇口制度和之间的过渡。
We present a technique to tune the charge density of epitaxial graphene via an electrostatic gate that is buried in the silicon carbide substrate. The result is a device in which graphene remains accessible for further manipulation or investigation. Via nitrogen or phosphor implantation into a silicon carbide wafer and subsequent graphene growth, devices can routinely be fabricated using standard semiconductor technology. We have optimized samples for room temperature as well as for cryogenic temperature operation. Depending on implantation dose and temperature we operate in two gating regimes. In the first, the gating mechanism is similar to a MOSFET, the second is based on a tuned space charge region of the silicon carbide semiconductor. We present a detailed model that describes the two gating regimes and the transition in between.
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静态介电常数
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