Transport properties of two-dimensional electron gas in different subbands in triangular quantum wells at AlxGalxN/GaN heterointerfaces
Transport properties of two-dimensional electron gas in different subbands in triangular quantum wells at AlxGalxN/GaN heterointerfaces
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AlxGalxN/GaN异质界面三角量子阱中不同子带二维电子气的输运特性
DOI:
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发表时间:
2003
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
Y. Arakawa
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Z. W. Zheng;B. Shen;Y. S. Gui;C. P. Jiang;N. Tang;R. Zhang;Y. Shi;Y. D. Zheng;S. L. Guo;G. Z. Zheng;J. H. Chu;T. Someya;Y. Arakawa
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影响因子:
3.9
作者:
C. Colvard;N. Nouri;D. Ackley;H. Lee
通讯作者:
H. Lee
影响因子:
2.1
作者:
T. Englert;J. Maan;D. Tsui;A. Gossard
通讯作者:
A. Gossard
DOI:
10.1063/1.371869
发表时间:
2000
期刊:
影响因子:
--
作者:
A. Saxler;P. Debray;R. Perrin;S. Elhamri;W. Mitchel;C. Elsass;I. Smorchkova;B. Heying;E. Haus;P. Fini;J. Ibbetson;S. Keller;Pierre M. Petroff;S. Denbaars;U. Mishra;J. Speck
通讯作者:
J. Speck
影响因子:
--
作者:
MCCLURE, JW
通讯作者:
MCCLURE, JW
DOI:
10.1103/physrevb.39.12993
发表时间:
1989
期刊:
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子:
--
作者:
Ensslin;Heitmann;Gerhardts;Ploog
通讯作者:
Ploog