Time-resolved photoluminescence spectroscopy in AIGaN/GaN SQW structure grown on a (111) Si substrate
Time-resolved photoluminescence spectroscopy in AIGaN/GaN SQW structure grown on a (111) Si substrate
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(111) Si 衬底上生长的 AIGaN/GaN SQW 结构的时间分辨光致发光光谱
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E-H. Kim;他
在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Appl.Phys.Lett. 84・23
影响因子：
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作者：
K. Hayashi;S. Mizuno;S. Tanaka;H. Toyoda;H. Tochihara;I. Suemune;T.Hikosaka
通讯作者：
T.Hikosaka
通过 MOVPE 将碳掺入 GaN 的 (11´01) 面上
影响因子：
1.8
作者：
N. Koide;T. Hikosaka;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
外延 GaN 束缚激子发光的动力学
影响因子：
4
作者：
L. Eckey;J. Holst;P. Maxim;R. Heitz;A. Hoffmann;I. Broser;B. Meyer;C. Wetzel;E. N. Mokhov;P. Baranov
通讯作者：
P. Baranov