Cubic phase light emitters hetero-integrated on silicon
Cubic phase light emitters hetero-integrated on silicon
复制标题
硅上异质集成立方相发光体
DOI：
10.1109/ipcon.2017.8115994
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Liu, R.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bayram, C.;Liu, R.
由于自然结晶，GaN发射器在历史上具有六方相。在这里，我们介绍了一种立方相GaN发射极技术，是通过在廉价和可扩展的CMOS兼容的Si（100）衬底上的共集成极化自由。
GaN emitters have historically been of hexagonal phase due to natural crystallization. Here we introduce a cubic phase GaN emitter technology that is polarization-free via cointegration on cheap and scalable CMOS-compatible Si(100) substrate.
最大化立方相氮化镓在纳米图案硅上的表面覆盖 (100)
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Liu;C. Bayrama
通讯作者：
C. Bayrama
Si 上异质集成六方相和立方相 GaN 发光中心的阴极发光研究 ( 100 )
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Liu;C. Bayrama
通讯作者：
C. Bayrama