Controlled pinning and depinning of domain walls in nanowires with perpendicular magnetic anisotropy
Controlled pinning and depinning of domain walls in nanowires with perpendicular magnetic anisotropy
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具有垂直磁各向异性的纳米线中畴壁的受控钉扎和脱钉
DOI：
10.1088/0953-8984/24/2/024208
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Meier
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Gerhardt;A. Drews;G. Meier
我们研究具有垂直磁各向异性的纳米线中的切换和场驱动的畴壁运动，包括材料参数的局部修改。纳米线内部具有各种几何形状的有意成核和钉扎位点是通过各向异性常数的局部减小来实现的。采用微磁模拟和分析计算来确定切换场并表征钉扎电位和脱钉场。模拟中的成核位点导致开关场显着减小，并且与分析计算非常一致。由钉扎位点引起的钉扎电位和脱钉场很大程度上取决于它们的形状，并且可以通过分析计算得到很好的解释。
We investigate switching and field-driven domain wall motion in nanowires with perpendicular magnetic anisotropy comprising local modifications of the material parameters. Intentional nucleation and pinning sites with various geometries inside the nanowires are realized via a local reduction of the anisotropy constant. Micromagnetic simulations and analytical calculations are employed to determine the switching fields and to characterize the pinning potentials and the depinning fields. Nucleation sites in the simulations cause a significant reduction of the switching field and are in excellent agreement with analytical calculations. Pinning potentials and depinning fields caused by the pinning sites strongly depend on their shapes and are well explained by analytical calculations.
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