Can surface-transfer doping and UV irradiation during annealing improve shallow implanted nitrogen-vacancy centers in diamond?
Can surface-transfer doping and UV irradiation during annealing improve shallow implanted nitrogen-vacancy centers in diamond?
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退火过程中的表面转移掺杂和紫外线照射能否改善金刚石中的浅注入氮空位中心？
DOI：
10.1063/5.0012375
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F. Reinhard
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.J. Glaser;G. Braunbeck;O. Bienek;I.D. Sharp;F. Reinhard
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影响因子：
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作者：
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G. Braunbeck;S. Mandal;M. Touge;O. Williams;F. Reinhard
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