Xenon Discharge-Produced Plasma Radiation Source for EUV Lithography
Xenon Discharge-Produced Plasma Radiation Source for EUV Lithography
复制标题
用于 EUV 光刻的氙放电产生的等离子体辐射源
DOI：
10.1109/ias.2005.1518784
复制
发表时间：
2005
影响因子：
4.4
通讯作者：
Y. Kondo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. H. Zhang;H. Akiyama;P. Lv;Y. P. Zhao;Q. Wang;S. Katsuki;T. Namihira;H. Horta;H. Imamura;Y. Kondo
波长为11-14 nm的极紫外（EUV）辐射被视为新光刻技术的最有前途的候选者。与同步辐射源和激光产生的等离子体相比，用于EUV辐射的气体放电产生的等离子体源预计将提供更低的拥有成本。使用氙，宽带发射的研究波长范围从10至17 nm的观察。非常短的电流脉冲，具有85或140 ns的持续时间和23 kA的幅度的快速上升时间，施加在整个氙填充的Z箍缩毛细管（3毫米直径和5毫米长），以产生EUV辐射。基于极紫外光强度的时间特性和针孔图像，对Z箍缩等离子体的极紫外光辐射进行了表征。两个最大的EUV辐射发生，这是敏感的氙气流量和放电电流。第一次辐射的持续时间相对较短，而第二次辐射的持续时间与电流的第一周期一样长。由于第一辐射的EUV源尺寸约为300 μm，即，第二次辐射的一半。
Extreme ultraviolet (EUV) radiation with wavelengths of 11-14 nm is seen as the most promising candidate for a new lithographic technology. Compared with synchrotron radiation sources and laser-produced plasmas, gas discharge-produced plasma sources for EUV radiation are expected to offer lower cost of ownership. Using xenon, a broadband emission in the investigated wavelength range from 10 to 17 nm is observed. Very short current pulses, having a fast rise time of 85- or 140-ns duration and 23-kA amplitude, were applied across the xenon-filled Z-pinch capillary (3-mm diameter and 5-mm length) to produce EUV radiation. An EUV radiation from the Z-pinch plasma was characterized, which is based on the temporal behavior of EUV intensity and the pinhole images. Two maximum EUV radiations occur, which are sensitive to the xenon flow rate and the discharge current. The first radiation is relatively of short duration, while the second radiation lasts as long as the first period of the current flows. The EUV source size due to the first radiation is approximately 300 μm, i.e., half of the one due to the second radiation.
登录
查看更多内容
影响因子：
3.2
作者：
M. Mori;T. Shiraishi;E. Takahashi;H. Suzuki;L. B. Sharma;E. Miura;K. Kondo
通讯作者：
M. Mori;T. Shiraishi;E. Takahashi;H. Suzuki;L. B. Sharma;E. Miura;K. Kondo
DOI：
10.1016/s0022-4073(03)00063-3
发表时间：
2003-09
影响因子：
2.3
作者：
R. Bruijn;K. Koshelev;G. Kooijman;E. Toma;F. Bijkerk
通讯作者：
R. Bruijn;K. Koshelev;G. Kooijman;E. Toma;F. Bijkerk
影响因子：
4
作者：
P. Jansson;B. A. M. Hansson;O. Hemberg;M. Otendal;A. Holmberg;J. D. Groot;H. Hertz
通讯作者：
P. Jansson;B. A. M. Hansson;O. Hemberg;M. Otendal;A. Holmberg;J. D. Groot;H. Hertz
影响因子：
2.5
作者：
Silfvast, WT
通讯作者：
Silfvast, WT
DOI：
10.1088/0022-3727/37/23/005
发表时间：
2004-12
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
U. Stamm
通讯作者：
U. Stamm