Frequency Doubler Based on a Lateral Multi-Channel GaN Schottky Barrier Diode for 5G Technology
Frequency Doubler Based on a Lateral Multi-Channel GaN Schottky Barrier Diode for 5G Technology
复制标题
适用于 5G 技术的基于横向多通道 GaN 肖特基势垒二极管的倍频器
DOI：
10.1109/asdam50306.2020.9393861
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Alathbah M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Alathbah M
平面超宽带平衡倍频器
DOI：
10.1109/mwsym.2008.4633284
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
影响因子：
--
作者：
Young;Kang Wook Kim;Young
通讯作者：
Young
基于 GaN 平面肖特基势垒二极管的 30 GHz 单片集成倍频器
DOI：
10.1109/iccsd.2019.8843218
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE 3rd International Conference on Circuits, Systems and Devices (ICCSD)
影响因子：
--
作者：
Ning An;Li Li;Qian Li;Jianping Zeng;Yang Tang;Jun Jiang
通讯作者：
Jun Jiang
适用于高频和高功率应用的膜支撑 GaN CPW 结构
DOI：
10.1109/apmc46564.2019.9038731
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC)
影响因子：
--
作者：
A. Eblabla;M. Alathbah;Zehao Wu;J. Lees;K. Elgaid
通讯作者：
K. Elgaid