Study of interdiffusion reaction at the CdS/CdTe interface
Study of interdiffusion reaction at the CdS/CdTe interface
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CdS/CdTe界面相互扩散反应的研究
DOI：
10.1557/jmr.2010.90
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发表时间：
2011-03
影响因子：
2.7
通讯作者：
Hou, Zerong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bai, Zhizhong;Wang, Deliang;Hou, Zerong
为了检测来自CdS和来自CdS/CdTe界面的拉曼散射和X射线衍射（XRD）的相对强的散射信号，制备倒置的CdTe太阳能电池结构，并且在CdTe太阳能电池结构的表面上沉积35 nm厚的CdS膜。通过拉曼光谱和高分辨率XRD散射光谱，定性研究了CdS/CdTe界面的相互扩散及其相关反应。在350 °C左右的较低温度下开始发生相互扩散，这与CdS从立方相到六方相的相变相吻合。在550 °C热处理后，S和Te发生了显著的互扩散，在CdS/CdTe界面形成了富S和富Te的CdS_xTe_1− x合金，S和Te原子浓度分别为11%和19%。
To detect the relatively strong scattering signals of the Raman scattering and the x-ray diffraction (XRD) from CdS and those from the CdS/CdTe interface, an inverted CdTe solar cell structure was prepared and a 35-nm-thick CdS film was deposited on the surface of a CdTe solar cell structure. The Raman and high-resolution XRD scattering spectra allowed us to qualitatively study the interdiffusion and its related reactions at the CdS/CdTe interface. Interdiffusion began to occur at a relatively low temperature of about 350 °C, which coincided with the CdS phase transformation from cubic to hexagonal phase. Substantial interdiffusion of S and Te occurred after heat treatment at a temperature of 550 °C, resulting in formation of S-rich and Te-rich CdS_xTe_1− x alloy at the CdS/CdTe interface, with S and Te atomic concentration of ∼9% and 11% diffused into the CdTe and the CdS films, respectively.
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