Effect of Zn-Doping on the Tunable Behavior of (Pb0.6Sr0.4)TiO3 Thin Films
Effect of Zn-Doping on the Tunable Behavior of (Pb0.6Sr0.4)TiO3 Thin Films
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Zn 掺杂对 (Pb0.6Sr0.4)TiO3 薄膜可调行为的影响
DOI：
10.1080/00150190902967147
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发表时间：
2009-09
期刊：
影响因子：
0.8
通讯作者：
Zhao, H. J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, X. T.;Du, P. Y.;Ma, N.;Weng, W. J.;Han, G. R.;Zheng, Z.;Zhao, H. J.
(Pb采用醇盐溶胶-凝胶法在ITO/玻璃衬底上制备了（0.6Sr0.4）ZnxTi 1 − xO 3 − x薄膜。研究了Zn掺杂PST薄膜的结构和介电性能。在掺杂和未掺杂的PST薄膜中，钙钛矿相分别形成得很好。从x = 0到x = 0.4，随着Zn的增加，相结构的四方性逐渐减小。薄膜的铁电性质由Cp-V蝶形回线证实，并且随着在PST薄膜中增加Zn而变弱。薄膜的介电损耗从x = 0减小到x = 0.4。
(Pb 0.6 Sr 0.4 )Zn x Ti 1 − x O 3 − x thin films were prepared by the alkoxide-based sol-gel process using dip-coating method on ITO/glass substrate. The structure and dielectric property of Zn doped PST thin films have been studied. The perovskite phase forms perfectly in the PST thin films with and without Zn-doping respectively. The tetragonality of the phase structure decreases gradually with increasing Zn from x = 0 to x = 0.4. Ferroelectric nature of the thin film is confirmed by Cp-V butterfly loop and it becomes weaker with increasing Zn into the PST thin films. The dielectric loss of the thin film is expectedly decreased from x = 0 to x = 0.4.
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影响因子：
3.2
作者：
Reji Thomas;V. Varadan;S. Komarneni;D. Dube
通讯作者：
Reji Thomas;V. Varadan;S. Komarneni;D. Dube
影响因子：
2.1
作者：
Jingfeng Chen;P. Du;Ying Qin;G. Han;W. Weng
通讯作者：
Jingfeng Chen;P. Du;Ying Qin;G. Han;W. Weng
DOI：
10.1109/58.655193
发表时间：
1997-07
期刊：
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control
影响因子：
--
作者：
L. Sengupta;S. Sengupta
通讯作者：
L. Sengupta;S. Sengupta
影响因子：
4
作者：
H. Tian;Yu Wang;Danyang Wang;J. Miao;J. Qi;H. Chan;C. Choy
通讯作者：
H. Tian;Yu Wang;Danyang Wang;J. Miao;J. Qi;H. Chan;C. Choy
DOI：
10.4028/www.scientific.net/kem.336-338.283
发表时间：
2007-04
期刊：
Key Engineering Materials
影响因子：
--
作者：
Z. Zheng;X. Li;G. Han;W. Weng;P. Du
通讯作者：
Z. Zheng;X. Li;G. Han;W. Weng;P. Du