Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC
Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC
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重掺铝4H-SiC的电性能
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Atsuki Hidaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hideharu Matsuura;Akinobu Takeshita;Rinya Nishihata;Yuuki Kondo;and Atsuki Hidaka
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影响因子：
3.2
作者：
Parisini, A.;Nipoti, R.
通讯作者：
Nipoti, R.
Al 注入 4H-SiC 中高温可变范围跳跃的尺寸效应
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
A. Parisini;A. Parisini;R. Nipoti
通讯作者：
R. Nipoti
碳化硅中的杂质传导
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.367
发表时间：
2007
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
M. Krieger;K. Semmelroth;H. B. Weber;G. Pensl;M. Rambach;L. Frey
通讯作者：
L. Frey
N共掺缓解CVD生长重掺Al 4H-SiC外延片弯曲的实验
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Ji;K. Kojima;Y. Ishida;S. Saito;H. Yamaguchi;S. Yoshida;H. Tsuchida;H. Okumura
通讯作者：
H. Okumura
CVD 生长的重掺铝 4H-SiC 厚外延层的跳变传导范围
影响因子：
2.3
作者：
S. Ji;K. Eto;S. Yoshida;K. Kojima;Y. Ishida;S. Saito;H. Tsuchida;H. Okumura
通讯作者：
H. Okumura