W-Band LNA MMICs Based on a Noise-Optimized 50-nm Gate-Length Metamorphic HEMT Technology
W-Band LNA MMICs Based on a Noise-Optimized 50-nm Gate-Length Metamorphic HEMT Technology
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基于噪声优化的 50 nm 门长变质 HEMT 技术的 W 频段 LNA MMIC
DOI：
10.1109/mwsym.2019.8700792
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
O. Ambacher
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Thome;A. Leuther;F. Heinz;O. Ambacher
DOI：
10.1109/mwsym.2014.6848288
发表时间：
2014-06
期刊：
2014 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS2014)
影响因子：
--
作者：
Phillip M. Smith;M. Ashman;Dong Xu;Xiaoping S. Yang;C. Creamer;P. Chao;K. Chu;K. Duh;Christopher Koh;J. Schellenberg
通讯作者：
Phillip M. Smith;M. Ashman;Dong Xu;Xiaoping S. Yang;C. Creamer;P. Chao;K. Chu;K. Duh;Christopher Koh;J. Schellenberg
具有集成功率检测器和增益控制功能的毫米波低噪声放大器 MMIC
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
Intelligent Memory Systems
影响因子：
--
作者：
A. Tessmann;A. Leuther;H. Massler;S. Wagner;F. Thome;M. Schlechtweg;O. Ambacher
通讯作者：
O. Ambacher