Effects of resonant LO phonon assisted excitation on the photoluminescence spectra of InGaN/GaN quantum wells
Effects of resonant LO phonon assisted excitation on the photoluminescence spectra of InGaN/GaN quantum wells
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谐振LO声子辅助激发对InGaN/GaN量子阱光致发光光谱的影响
DOI：
10.1002/pssc.200778682
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Dawson P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dawson P
我们观察到InGaN/GaN单量子阱的低温（T < 50 K）光致发光激发谱在光子能量高于GaN带隙处的振荡。我们属性的光谱中的功能，在GaN导带边缘以上的LO声子能量的倍数的电子激发。这些电子快速冷却到GaN导带边缘及其随后的捕获导致光致发光光谱的偏移，从而导致光致发光的振荡。我们解释的频谱中的移动是由于修改的本地化中心的分布的电子占领。（© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
We have observed oscillations in the low temperature (T < 50 K) photoluminescence excitation spectra of an InGaN/GaN single quantum well at photon energies above the GaN bandgap. We attribute the features in the spectra to excitation of electrons at multiples of the LO phonon energy above the GaN conduction band edge. The rapid cooling of these electrons to the GaN conduction band edge and their subsequent capture leads to a shift, in the photoluminescence spectrum and hence the oscillations in photoluminescence. We interpret the shift in the spectrum as being due to a modification of the occupation of the distribution of localization centres by electrons. (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
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