Chemical interactions in the layered system BCxNy/Ni(Cu)/Si, produced by CVD at high temperature
Chemical interactions in the layered system BCxNy/Ni(Cu)/Si, produced by CVD at high temperature
复制标题
高温 CVD 生产的 BCxNy/Ni(Cu)/Si 层状系统中的化学相互作用
DOI：
10.1007/s00216-012-6177-2
复制
发表时间：
2012
影响因子：
4.3
通讯作者：
W. Ensinger
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P.S. Hoffmann;M.I. Kosinova;S. Flege;O. Baake;B. Pollakowski;V.A. Trunova;A. Klein;B. Beckhoff;F.A. Kuznetsov;W. Ensinger
层状样品 Si(100)/C/Ni/BCxNy 和 Si(100)/C/Cu/BCxNy 是通过在 Si(100) 基底上物理气相沉积金属（分别为 Ni、Cu）和低压化学气相沉积碳氮化硼而生产的。在 Si 和 Ni (Cu) 之间以及 Ni (Cu) 层的表面上沉积了薄碳层，分别作为扩散阻挡层或防止氧化。然后，去除表面碳层。分别使用三甲胺硼烷作为前体以及H 2 和NH 3 作为辅助气体。采用全反射X射线荧光光谱法结合近边X射线吸收精细结构光谱法、X射线光电子能谱法和二次离子质谱法对各层及其界面的化学成分进行了表征。使用 H2 产生 BCxNy 化合物，而使用 NH3 则产生 h-BN 和石墨碳的混合物。在 BCxNy/金属界面处，可以识别出金属硼化物。在 700°C 的相对较高合成温度下，在金属层和基底 Si 之间观察到广泛的 Cu 或 Ni 和 Si 区域。
Layered samples Si(100)/C/Ni/BCxNyand Si(100)/C/Cu/BCxNywere produced by physical vapor deposition of a metal (Ni, Cu, resp.) and low-pressure chemical vapor deposition of the boron carbonitride on a Si(100) substrate. Between the Si and the Ni (Cu) and on the surface of the Ni (Cu) layer, thin carbon layers were deposited, as a diffusion barrier or as a protection against oxidation, respectively. Afterwards, the surface carbon layer was removed. As precursor, trimethylamine borane and, as an auxiliary gas, H2and NH3were used, respectively. The chemical compositions of the layers and of the interfaces in between were characterized by total-reflection X-ray fluorescence spectrometry combined with near-edge X-ray absorption fine-structure spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and secondary ion mass spectrometry. The application of H2yielded the BCxNycompound whereas the use of NH3led to a mixture of h-BN and graphitic carbon. At the BCxNy/metal interface, metal borides could be identified. At the relatively high synthesis temperature of 700 °C, broad regions of Cu or Ni and Si were observed between the metal layer and the substrate Si.
登录
查看更多内容
低 k 材料（BCN 和 SiOC）中的银扩散及其对未来互连的挑战
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. K. Mazumder;Ryota Moriyama;D. Watanabe;C. Kimura;H. Aoki;T. Sugino
通讯作者：
T. Sugino
使用 TXRF-NEXAFS 分析硅片上的有机污染物
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Pepponi;B. Beckhoff;T. Ehmann;G. Ulm;C. Streli;L. Fábry;S. Pahlke;P. Wobrauschek
通讯作者：
P. Wobrauschek
影响因子：
2.1
作者：
M. Mannan;Y. Baba;T. Kida;M. Nagano;I. Shimoyama;N. Hirao;H. Noguchi
通讯作者：
M. Mannan;Y. Baba;T. Kida;M. Nagano;I. Shimoyama;N. Hirao;H. Noguchi
镍掺入对低能偏置靶离子束沉积制备的非晶氢化碳薄膜的结构、纳米力学和生物相容性的影响
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Vijaibharathy;Yin;D. Nataraj;Qiaoqin Yang;Sheng;D. Mangalaraj;Lei Yang;T. Webster
通讯作者：
T. Webster
B-C-N 材料简介
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Lee;V. Kayastha;Jiesheng Wang;Y. Yap
通讯作者：
Y. Yap