Magnetic properties and electronic origin of the interface between dilute magnetic semiconductors with orthogonal magnetic anisotropy
Magnetic properties and electronic origin of the interface between dilute magnetic semiconductors with orthogonal magnetic anisotropy
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正交磁各向异性稀磁半导体界面的磁性和电子起源
DOI：
10.1103/physrevmaterials.4.054410
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发表时间：
2020
影响因子：
3.4
通讯作者：
Furdyna, Jacek K.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Need, Ryan F.;Bac, Seul-Ki;Liu, Xinyu;Lee, Sanghoon;Kirby, Brian J.;Dobrowolska, Margaret;Kossut, Jacek;Furdyna, Jacek K.
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影响因子：
3.7
作者：
M. Kopecký;J. Kub;F. Máca;J. Masek;O. Pacherova;A. Rushforth;B. Gallagher;R. Campion;V. Novák
通讯作者：
M. Kopecký;J. Kub;F. Máca;J. Masek;O. Pacherova;A. Rushforth;B. Gallagher;R. Campion;V. Novák
四元GaMnAsP铁磁半导体的磁各向异性
影响因子：
1.6
作者：
Hakjoon Lee;Jiho Chang;Phunvira Chongthanaphisut;Sangyeop Lee;Seonghoon Choi;S. Bac;Alviu Rey Nasir;Sang Hoon Lee;A. Pardo;S. Dong;Xiang Li;X. Liu;J. Furdyna;M. Dobrowolska
通讯作者：
M. Dobrowolska
在 ZnMnSe 缓冲层上生长的 GaMnAs 基铁磁半导体三层结构的磁输运特性
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Chung;D. Shin;Hyungchan Kim;Sanghoon Lee;X. Liu;J. Furdyna
通讯作者：
J. Furdyna
ZnCdSe 缓冲层上生长的 GaMnAs/InGaAs/GaMnAs 三层中层间交换耦合的间隔厚度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Tivakornsasithorn;T. Yoo;Hakjoon Lee;Seonghoon Choi;Sang Hoon Lee;Xinyu Liu;M. Dobrowolska;J. Furdyna
通讯作者：
J. Furdyna
利用角分辨光电子能谱研究 Ga1−xMnxAs 的电子结构
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Okabayashi;A. Kimura;O. Rader;T. Mizokawa;A. Fujimori;T. Hayashi;Masaaki Tanaka
通讯作者：
Masaaki Tanaka