Electroluminescence properties of GaInP/GaAs: Er, O/GaInP double heterostructure light-emitting diodes at low temperature
Electroluminescence properties of GaInP/GaAs: Er, O/GaInP double heterostructure light-emitting diodes at low temperature
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GaInP/GaAs：Er、O/GaInP双异质结构发光二极管的低温电致发光特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. TERAI
中科院分区：
文献类型：
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作者：
安井遼;鈴木雄斗;松岡成居 熊田亜紀子;日高邦彦;Y. OTA;Y. TERM;Y. FUJIWARA;Y. FUJIWARA;K. YAMAOKA;K. SHIMADA;Y. TERM;K. FUJII;K. SHIMADA;A. FUJITA;Y. TERM;藤原康文;Y. FUJIWARA;Y. TERAI
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InP 及相关化合物：材料、应用和器件
DOI：
10.1201/9781482282986
发表时间：
2000
期刊：
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影响因子：
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通讯作者：
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