Electrical Characterization of In Ga As Nanowire-Top-Gate Field-Effect Transistors by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
Electrical Characterization of In Ga As Nanowire-Top-Gate Field-Effect Transistors by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
复制标题
采用选择性区域金属有机气相外延法表征 In Ga As 纳米线顶栅场效应晶体管的电学特性
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Shinjiro Hara and Takashi Fukui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jinichiro Noborisaka;Takuya Sato;Junichi Motohisa;Shinjiro Hara and Takashi Fukui
登录
查看更多内容
用于新型一维器件的半导体纳米线
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. Samuelson;M. Björk;K. Deppert;M. Larsson;B. Ohlsson;N. Panev;A. Persson;N. Sköld;C. Thelander;L. Wallenberg
通讯作者：
L. Wallenberg
用于 InP 基二维光子晶体的 InP 和 InGaAs 柱结构的选择性区域 MOVPE 生长
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Physica E 21
影响因子：
--
作者：
Junpei Sakurai;Seiichi Hata;Ryusuke Yamauchi;Akira Shimokohbe;Masaru Inari
通讯作者：
Masaru Inari
影响因子：
4
作者：
J. Noborisaka;J. Motohisa;S. Hara;Takashi Fukui
通讯作者：
J. Noborisaka;J. Motohisa;S. Hara;Takashi Fukui
影响因子：
1.8
作者：
J. Motohisa;J. Noborisaka;J. Takeda;M. Inari;T. Fukui
通讯作者：
J. Motohisa;J. Noborisaka;J. Takeda;M. Inari;T. Fukui
砷化镓在 Ga 和 As K 边的 X 射线吸收研究
影响因子：
1.5
作者：
G. Dalba;D. Diop;P. Fornasini;A. Kuzmin;F. Rocca
通讯作者：
F. Rocca