Repeatable asymmetric resonant tunneling in AlGaN/GaN double barrier structures grown on sapphire
Repeatable asymmetric resonant tunneling in AlGaN/GaN double barrier structures grown on sapphire
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蓝宝石上生长的 AlGaN/GaN 双势垒结构中的可重复不对称谐振隧道
DOI：
10.1063/1.5080470
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发表时间：
2019-02
影响因子：
4
通讯作者：
X.Q. Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Wang;Z.Y. Chen;T. Wang;L.Y. Yang;B.W. Sheng;H.P. Liu;J. Su;P. Wang;X. Rong;J.Y. Cheng;X.Y. Shi;W. Tan;S.P. Guo;J. Zhang;W.K. Ge;B. Shen;X.Q. Wang
我们报告了通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的可重复 AlGaN/GaN 谐振隧道二极管 (RTD)。 RTD 在低温下在两个偏置方向上均表现出明显的负微分电阻。对于正向和反向偏压，在 6.5K 下分别提取出 1.4 和 1.08 的峰谷电流比以及 6kA/cm2 和 0.65kA/cm2 的峰值电流密度。研究发现，III族氮化物中的极化场通过调制两个势垒的对称性和改变耗尽区的厚度来影响二极管的电学行为，最终触发不对称谐振隧道传输。
We report repeatable AlGaN/GaN resonant tunneling diodes (RTDs) grown on a sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition. The RTDs exhibit clear negative differential resistance at low temperature in both bias directions. Peak-to-valley current ratios of 1.4 and 1.08 and peak current densities of 6 kA/cm2 and 0.65 kA/cm2 are extracted at 6.5 K for forward and reverse bias, respectively. The polarization fields in III-nitrides are found to affect the diode electrical behaviors by modulating the symmetry of the two barriers and altering the thickness of the depletion region, which eventually triggers asymmetric resonant tunneling transport.
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影响因子：
4
作者：
C. Bayram;Z. Vashaei;M. Razeghi
通讯作者：
C. Bayram;Z. Vashaei;M. Razeghi
影响因子：
3.7
作者：
Jena, D;Heikman, S;Ambacher, O
通讯作者：
Ambacher, O
DOI：
10.1103/physrevb.45.9424
发表时间：
1992-04
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Shen;Xu;Willander;Hansson
通讯作者：
Shen;Xu;Willander;Hansson
影响因子：
3.2
作者：
S. Sakr;E. Warde;M. Tchernycheva;F. Julien
通讯作者：
S. Sakr;E. Warde;M. Tchernycheva;F. Julien
影响因子：
3.1
作者：
M. Nagase;T. Tokizaki
通讯作者：
M. Nagase;T. Tokizaki