Ultrathin 2D GeSe2 Rhombic Flakes with High Anisotropy Realized by Van der Waals Epitaxy
Ultrathin 2D GeSe2 Rhombic Flakes with High Anisotropy Realized by Van der Waals Epitaxy
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范德华外延实现高各向异性超薄二维 GeSe2 菱形薄片
DOI：
10.1002/adfm.201703858
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发表时间：
2017-12
影响因子：
19
通讯作者：
Tianyou Zhai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xing Zhou;Xiaozong Hu;Shasha Zhou;Qi Zhang;Huiqiao Li;Tianyou Zhai
GeSe 2作为一种具有2.7 eV宽带隙的层状p型半导体，可以弥补p型半导体的稀缺性，这是生产低功耗高集成度逻辑电路所需的。在此，2D单
As a layered p‐type semiconductor with a wide bandgap of 2.7 eV, GeSe2 can compensate for the rarity of p‐type semiconductors, which are desired for the production of high‐integration logic circuits with low power consumption. Herein, ultrathin 2D single
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D. Aspnes;J. C. Phillips;K. Tai;P. Bridenbaugh
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通讯作者：
Junyong Wang;Xin Luo;Shisheng Li;I. Verzhbitskiy;Weijie Zhao;Shunfeng Wang;S. Y. Quek;G. Eda
影响因子：
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通讯作者：
T. Gotszalk;T. Dziomba;L. Koenders