Effect of Nitrogen Ion Bombardment on Defect Formation and Luminescence Efficiency of GaNP Epilayers Grown by Molecular-Beam Epitaxy
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氮离子轰击对分子束外延生长的GaN外延层缺陷形成和发光效率的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Yonezu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Dagnelund;I.A.Buyanova;T.Mchedlidze;W.M.Chen;A.Utsumi;Y.Furukawa;A.Wakahara;H.Yonezu
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离子收集器 RF-MBE 生长 GaPN 层晶体质量的改善
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Phys.Stat.Sol.(a) Vol.202, No.5
影响因子：
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作者：
A.Utsumi;Y.Furukawa;H.Yonezu;Y.Yoshizumi;Y.Morita;A.Wakahara
通讯作者：
A.Wakahara
材料研究学会研讨会论文集。
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
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影响因子：
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作者：
F. Ponce;T. Moustakas;I. Akasaki;B. Monemar
通讯作者：
B. Monemar
光学检测到 GaP 中 PGa-YP 缺陷的 S=1 激发态的电子-核双共振：邻近的 31P 以及 69Ga 和 71Ga 壳层。
DOI：
10.1103/physrevb.50.10619
发表时间：
1994
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
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作者：
Sun;Rong;Watkins
通讯作者：
Watkins
自由载流子在光学检测磁共振应用中研究硅缺陷的作用
DOI：
10.1007/bf00323872
发表时间：
1991
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
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作者：
Weimin M. Chen;B. Monemar
通讯作者：
B. Monemar
氮等离子体优化以获得高质量稀氮化物
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Wistey;S. Bank;H. Yuen;H. Bae;J. Harris
通讯作者：
J. Harris