Improvement of Crystalline Quality of GaPN Layers Grown by RF-MBE with Ion Collector
Improvement of Crystalline Quality of GaPN Layers Grown by RF-MBE with Ion Collector
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离子收集器 RF-MBE 生长 GaPN 层晶体质量的改善
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.Wakahara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Utsumi;Y.Furukawa;H.Yonezu;Y.Yoshizumi;Y.Morita;A.Wakahara
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化学束外延中 GaN 和 GaInNA 的光学质量及其对 RF 单元条件的依赖性
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Kageyama;T. Miyamoto;S. Makino;F. Koyama;K. Iga
通讯作者：
K. Iga
等离子体增强分子束外延在离子通量减少条件下生长的 GaN 的光致发光特性
影响因子：
1.5
作者：
S. Cho;Uitsu Tanaka;K. Hata;Takahiro Maruyama Takahiro Maruyama;Katsuhiro Akimoto Katsuhiro Akimoto
通讯作者：
Katsuhiro Akimoto Katsuhiro Akimoto
气源分子束外延生长GaNP/GaP多量子阱的光致发光特性
DOI：
10.1063/1.1313813
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Xin;C. Tu
通讯作者：
C. Tu
用于光电集成系统的无位错和晶格匹配的 Si/GaP1−xNx/Si 结构
影响因子：
4
作者：
K. Momose;H. Yonezu;Y. Fujimoto;Y. Furukawa;Y. Motomura;K. Aiki
通讯作者：
K. Aiki
添加氮原子对 GaP1-xNx 和 GaAs1-xNx 合金的硬化作用
影响因子：
1.5
作者：
K. Momose;H. Yonezu;Y. Fujimoto;K. Ojima;Y. Furukawa;A. Utsumi;K. Aiki
通讯作者：
K. Aiki