Effect of group V partial pressure on the kinetics of selective area MOVPE for GaAs on (100) exact and misoriented substrate
Effect of group V partial pressure on the kinetics of selective area MOVPE for GaAs on (100) exact and misoriented substrate
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V 族分压对 (100) 精确和错误取向衬底上 GaAs 选择性区域 MOVPE 动力学的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Shimogaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Song;X.Song;M.Sugiyama;Y.Nakano;Y.Shimogaki
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选择性区域金属有机气相外延中掩模上多晶生长的决定因素：气相浓度分析
影响因子：
1.5
作者：
H. Oh;M. Sugiyama;Y. Nakano;A. Shimogaki
通讯作者：
A. Shimogaki
InP/GaAs 选择性 MOVPE 过程中电介质掩模上的多晶生长
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Journal of Crystal Growth vol.261
影响因子：
--
作者：
Mitsuru Takenaka;Maura Raburn;Yoshiaki Nakano;櫻井謙司;Hiromasa Shimizu;Mitsuru Takenaka;Takafumi Ohtsuka;Ik-Tae Im;Ho-jin Oh;Masakazu Sugiyama
通讯作者：
Masakazu Sugiyama
有机和氢化物 V 族前驱体在宽禁带选择性区域金属有机气相外延中表面动力学的比较
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics vol.42
影响因子：
--
作者：
D.Kim;H.Lee;Weerachai Asawamethapant;片桐祥雅;Xueliang Song;Mitsuru Takenaka;Daisuke Miyashita;Weerachai Asawamethapant;Ho-Jin Oh;Weerachai Asawamethapant;Nutchai Sroymadee;Nobuo Haneji;Chang-Zheng Sun;Hwa Sun Park;Tomoyoshi Ide;Mitsuru Takenaka;Hideki Yokoi;Foo Cheong Yit;Eric Gouardes;Ho-Jin Oh;Ho-Jin Oh
通讯作者：
Ho-Jin Oh
影响因子：
1.8
作者：
Im, IT;Oh, HJ;Shimogaki, Y
通讯作者：
Shimogaki, Y
V族前驱体对InP/GaAs相关材料选择性区域MOVPE的影响
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Journal of Crystal Growth vol.261
影响因子：
--
作者：
Mitsuru Takenaka;Maura Raburn;Yoshiaki Nakano;櫻井謙司;Hiromasa Shimizu;Mitsuru Takenaka;Takafumi Ohtsuka;Ik-Tae Im;Ho-jin Oh
通讯作者：
Ho-jin Oh