Self-powered SBD solar-blind photodetector fabricated on the single crystal of β-Ga(2)O(3).
Self-powered SBD solar-blind photodetector fabricated on the single crystal of β-Ga(2)O(3).
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β-Ga2O3 单晶自供电 SBD 日盲光电探测器
DOI：
10.1039/c8ra00523k
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发表时间：
2018-02-06
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Du, Guotong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang, Chao;Liang, Hongwei;Zhang, Zhenzhong;Xia, Xiaochuan;Tao, Pengcheng;Chen, Yuanpeng;Zhang, HeQiu;Shen, Rensheng;Luo, Yingmin;Du, Guotong
基于单晶β-Ga2O3 制作了肖特基势垒二极管（SBD）日盲光电探测器。 Cu 和 Ti/Au 分别沉积在 Ga2O3 的顶面和底面上作为肖特基接触和欧姆接触。 SBD 在 ±2 V 下表现出高达 5 × 107 的较高整流比。光响应光谱在 241 nm 处显示最大响应度，截止波长为 256 nm。日盲/紫外线和日盲/可见光抑制比可分别达到高达200和1000的高水平。有趣的是，该器件在零偏置下对日盲波长有清晰的响应，这证实了它可以用作自供电日盲光电探测器。基于单晶β-Ga2O3制作了Cu SBD日盲光电探测器。该器件可以在零偏置下工作。
A Schottky barrier diode (SBD) solar-blind photodetector was fabricated based on the single crystal β-Ga2O3. Cu and Ti/Au were deposited on the top and bottom surface of Ga2O3 as Schottky and ohmic contacts, respectively. The SBD exhibits a higher rectification ratio of up to 5 × 107 at ±2 V. The photoresponse spectra show a maximum responsivity at 241 nm and a cutoff wavelength of 256 nm. The solar-blind/ultraviolet and solar-blind/visible rejection ratio can reach a high level of up to 200 and 1000, respectively. It is interesting that the device has a clear response to the solar-blind wavelength at zero bias, which confirms it can be used as a self-powered solar-blind photodetector. A Cu SBD solar-blind photodetector was fabricated based on the single crystal β-Ga2O3. The device can work at zero bias.
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DOI：
10.3390/s130810482
发表时间：
2013-08-13
期刊：
Sensors (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Sang L;Liao M;Sumiya M
通讯作者：
Sumiya M
影响因子：
1.5
作者：
Aida, Hideo;Nishiguchi, Kengo;Yaguchi, Yoichi
通讯作者：
Yaguchi, Yoichi
影响因子：
9.5
作者：
Chen, Xuanhu;Xu, Yang;Ye, Jiandong
通讯作者：
Ye, Jiandong
DOI：
10.1002/pssa.201330088
发表时间：
2014-01-01
影响因子：
2
作者：
Splith, Daniel;Mueller, Stefan;Grundmann, Marius
通讯作者：
Grundmann, Marius
影响因子：
20.6
作者：
Razeghi, M
通讯作者：
Razeghi, M