Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with N-Type Doped SiC Source/Drain Regions
Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with N-Type Doped SiC Source/Drain Regions
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N型掺杂SiC源/漏区石墨烯晶体管中空穴电流的抑制
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Eisuke Tokumitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuichi Nagahisa;Eisuke Tokumitsu
ESSDERC 2004：第 34 届欧洲固态器件研究会议论文集
DOI：
10.1109/essder.2004.1356461
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
T. V. Woudenbergh;J. Wildeman;P. Blom
通讯作者：
P. Blom
氧化 SiC 表面上类石墨烯结构的生长
影响因子：
2.1
作者：
W. Lu;W. Mitchel;J. Boeckl;T. Crenshaw;W. E. Collins;R. Chang;L. Feldman
通讯作者：
L. Feldman
抑制石墨烯场效应晶体管双极特性的源极和漏极结构
影响因子：
2.3
作者：
E. Sano;T. Otsuji
通讯作者：
T. Otsuji