Growth of Graphene-Like Structures on an Oxidized SiC Surface
Growth of Graphene-Like Structures on an Oxidized SiC Surface
复制标题
氧化 SiC 表面上类石墨烯结构的生长
DOI：
10.1007/s11664-009-0715-5
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发表时间：
2009
影响因子：
2.1
通讯作者：
L. Feldman
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
W. Lu;W. Mitchel;J. Boeckl;T. Crenshaw;W. E. Collins;R. Chang;L. Feldman
在高温真空中热退火后，在氧化的SiC（0001）表面上形成石墨烯状结构。SiO2/SiC结构在10 - 5 Torr中于1350°C下退火; SiO2层蒸发，并在SiC表面上形成两层石墨烯状结构。这种制造石墨烯的方法不需要超高真空。在没有氧化物层的情况下，在10 - 5 Torr的相同温度范围内，在SiC表面上生长垂直碳纳米管（CNT）膜。
Graphene-like structures were formed on an oxidized SiC (0001) surface following thermal annealing in a vacuum at high temperatures. The SiO2/SiC structure was annealed at 1350°C in 10−5 Torr; the SiO2 layer was vaporized, and two layer graphene-like structures were formed on the SiC surface. This method of fabricating graphene did not require an ultra-high vacuum. In the absence of the oxide layer, a film of vertical carbon nanotubes (CNTs) was grown on the SiC surface in the same temperature range at 10−5 Torr.
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