Self-assembled GaInNAs quantum dot by MOCVD
Self-assembled GaInNAs quantum dot by MOCVD
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MOCVD自组装GaInNAs量子点
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tomoyuki Miyamo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryoichiro Suzuki;Tomoyuki Sengoku;Kosuke Nemoto;Satoru Tanabe;Tomoyuki Miyamo
影响因子：
2.5
作者：
Mukai, K;Nakata, Y;Ishikawa, H
通讯作者：
Ishikawa, H
通过金属有机化学气相沉积在 GaNs 缓冲层上形成 InAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
phys.stat.sol. vol.3 no.3
影响因子：
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作者：
佐藤晃嗣;林 純一;Ryoichiro Suzuki
通讯作者：
Ryoichiro Suzuki
影响因子：
1.8
作者：
Makino, S;Miyamoto, T;Iga, K
通讯作者：
Iga, K