Low contact resistivity of metal/n-GaN by the reduction of gap states with an epitaxially grown GaOx insulating layer
Low contact resistivity of metal/n-GaN by the reduction of gap states with an epitaxially grown GaOx insulating layer
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通过外延生长的 GaOx 绝缘层减少间隙态，实现金属/n-GaN 的低接触电阻率
DOI：
10.1063/5.0100250
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
J. Koba and J. Koike
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Omata Takahisa;Sharma Aman;Kinoshita Takuya;Suzuki Issei;Ishiyama Tomohiro;Kohara Shinji;Ohara Koji;Ono Madoka;Fang Tong;Ren Yang;Fujioka Masaya;Zhao Gaoyang;Nishii Junji;関戸竜也，麻田俊雄，小関 史朗;齊藤 裕一，菅谷 文男，井上 慎太郎，ラクシンチャラーンサク ポンサトーン，井上 秀雄，;J. Koba and J. Koike
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通讯作者：
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通讯作者：
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DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
影响因子：
--
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通讯作者：
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作者：
S. Hara
通讯作者：
S. Hara