Effect of Al2O3 Deposition and Subsequent Annealing on Passivation of Defectsin Ge-rich SiGe-on-Insulator
Effect of Al2O3 Deposition and Subsequent Annealing on Passivation of Defectsin Ge-rich SiGe-on-Insulator
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Al2O3 沉积和后续退火对绝缘体上富Ge SiGe 缺陷钝化的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Yang;M.Iyota;S.Ikeura;D.Wang;H.Nakashima
富Ge绝缘体上SiGe衬底在Ge凝聚过程中平面缺陷形成机制
影响因子：
2.1
作者：
N. Hirashita;S. Nakaharai;Y. Moriyama;K. Usuda;T. Tezuka;N. Sugiyama;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi
顶面钝化对超薄 SiGe 和 Ge 绝缘体底部沟道空穴迁移率的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Applied Physics Letters 93
影响因子：
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作者：
H. Yang;D. Wang;H. Nakashima;H. Gao;K. Hirayama;K. Ikeda;S. Hata. H. Nakashima
通讯作者：
S. Hata. H. Nakashima