Spray pyrolysis deposition and photoresponse of Cu2CdSnS4 thin films
Spray pyrolysis deposition and photoresponse of Cu2CdSnS4 thin films
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Cu2CdSnS4 薄膜的喷雾热解沉积及光响应
DOI：
10.1016/j.jaap.2014.12.020
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发表时间：
2015-03
影响因子：
6
通讯作者：
Ruo Yuan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Longying Nie;Sheng Liu;Yaqin Chai;Ruo Yuan
通过化学喷雾热解技术，在250℃~ 500℃的宽衬底温度范围内，成功地在玻璃载玻片上沉积了cu2cdsns4四元半导体薄膜。采用XRD、SEM、EDX、UV-vis、光电导等测试手段对制备的cu2cdsns4薄膜的结构、形貌、光学和光响应特性进行了详细的研究。薄膜的直接光学带隙为1.38 ~ 1.49 eV，光电流比暗电流显著增强数十倍。
Through the chemical spray pyrolysis technique, quaternary Cu2CdSnS4semiconductor thin films were successfully deposited on glass slides within a wide substrate temperature range from 250 °C to 500 °C. Structures, morphologies, optical and photoresponse properties of the as-prepared Cu2CdSnS4films were studied in details by using XRD, SEM, EDX, UV–vis, photoconductance measurements,etc. The films have the direct optical band gaps of 1.38–1.49 eV and exhibit the notable enhancement in photocurrentversusdark-current for several tens of times.
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