In situ synthesis and thermoelectric properties of La-doped Mg2(Si, Sn) composites
In situ synthesis and thermoelectric properties of La-doped Mg2(Si, Sn) composites
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La掺杂Mg2(Si,Sn)复合材料的原位合成及其热电性能
DOI：
10.1088/0022-3727/41/18/185103
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发表时间：
2008-08
期刊：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
利用镁硅和镁锡伪二元相图中的包晶反应和互溶间隙，我们制备了环境友好型镁(Si， )热电(TE)复合材料，在富镁硅块体颗粒上原位包覆了富镁锡薄膜。对富镁锡晶界相进行了La的选择性掺杂。结果表明，La掺杂显著提高了复合材料的导热比。结果表明，在810 K时，x=0.005的−xLax(Si， Sn)原位复合材料的无量纲优值系数ZT∼为0.81，显著高于未掺杂复合材料的ZT∼0.18，与目前最先进的PbTe中温Te合金的ZT PbTe 0.8相当。
Utilizing the peritectic reaction and the miscibility gap featured in the pseudo-binary phase diagram of Mg2Si and Mg2Sn, we fabricated environmentally friendly Mg2(Si, Sn) thermoelectric (TE) composites in which the Mg2Si-rich bulk grains were in situ coated by Mg2Sn-rich thin layers. The Mg2Sn-rich grain boundary phase was selectively doped with La. It was found that the La doping dramatically increased the electrical conductivity to thermal conductivity ratio in the composites. As a result, a dimensionless figure of merit ZT ∼ 0.81 has been attained at 810 K for the Mg2−xLax(Si, Sn) in situ composite with x = 0.005, significantly higher than the ZT ∼0.18 at 540 K for the undoped composite and comparable to ZT ∼ 0.8 of state-of-the-art PbTe intermediate temperature TE alloys.
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影响因子：
19
作者：
M. Toprak;C. Stiewe;D. Platzek;S. Williams;L. Bertini;E. Müller;C. Gatti;Yu Zhang;Michael Rowe;M Muhammed
通讯作者：
M. Toprak;C. Stiewe;D. Platzek;S. Williams;L. Bertini;E. Müller;C. Gatti;Yu Zhang;Michael Rowe;M Muhammed
影响因子：
3.5
作者：
S. H. Yang;T. Zhu;T. Sun;J. He;S. N. Zhang;X. Zhao
通讯作者：
S. H. Yang;T. Zhu;T. Sun;J. He;S. N. Zhang;X. Zhao
影响因子：
56.9
作者：
Harman, TC;Taylor, PJ;LaForge, BE
通讯作者：
LaForge, BE
影响因子：
3.7
作者：
V. Zaitsev;M. Fedorov;E. A. Gurieva;I. Eremin;P. P. Konstantinov-P.;A. Samunin;M. Vedernikov
通讯作者：
V. Zaitsev;M. Fedorov;E. A. Gurieva;I. Eremin;P. P. Konstantinov-P.;A. Samunin;M. Vedernikov
DOI：
10.1109/ict.2006.331283
发表时间：
2006-08
期刊：
2006 25th International Conference on Thermoelectrics
影响因子：
--
作者：
Y. Isoda;T. Nagai;H. Fujiu;Y. Imai;Y. Shinohara
通讯作者：
Y. Isoda;T. Nagai;H. Fujiu;Y. Imai;Y. Shinohara