Theory of drain noise in high electron mobility transistors based on real-space transfer
Theory of drain noise in high electron mobility transistors based on real-space transfer
复制标题
基于实空间转移的高电子迁移率晶体管漏极噪声理论
DOI：
10.1063/5.0069352
复制
发表时间：
2022
影响因子：
3.2
通讯作者：
Minnich, Austin J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Esho, Iretomiwa;Choi, Alexander Y.;Minnich, Austin J.
登录
查看更多内容
低温超低噪声 InP HEMT 的表征和建模
影响因子：
3.1
作者：
J. Schleeh;H. Rodilla;N. Wadefalk;P. Nilsson;J. Grahn
通讯作者：
J. Grahn
DOI：
10.1109/tmtt.2021.3061459
发表时间：
2021-04-01
影响因子：
4.3
作者：
Weinreb, Sander;Shi, Jun
通讯作者：
Shi, Jun
35 nm 变质 HEMT MMIC 技术
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
影响因子：
--
作者：
A. Leuther;A. Tessmann;H. Massler;R. Losch;M. Schlechtweg;M. Mikulla;O. Ambacher
通讯作者：
O. Ambacher
半导体中的热电子传输
DOI：
10.1007/bf00945017
发表时间：
1989
期刊：
Zeitschrift für angewandte Mathematik und Physik ZAMP
影响因子：
--
作者：
W. Hänsch;C. Schmeiser
通讯作者：
C. Schmeiser
赝晶 AlGaAs/InGaAs/GaAs MODFET 负微分电阻直流和高频特性的实验和理论研究
影响因子：
3.1
作者：
J. Laskar;J. M. Bigelow;J. Leburton;J. Kolodzey
通讯作者：
J. Kolodzey