Carbon doped GaN layers grown by Pseudo‐Halide Vapour Phase Epitaxy
Carbon doped GaN layers grown by Pseudo‐Halide Vapour Phase Epitaxy
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通过赝卤化物气相外延生长的碳掺杂 GaN 层
DOI：
10.1002/crat.201600364
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发表时间：
2017
影响因子：
1.5
通讯作者：
A. Hoffmann
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Siche;R. Zwierz;K. Kachel;N. Jankowski;C. Nenstiel;G. Callsen;M. Bickermann;A. Hoffmann
利用准卤化物气相外延(PHVPE)生长了厚碳掺杂GaN层，研究了其作为半绝缘(SI)衬底的适用性。利用傅里叶变换红外光谱对废气进行了原位分析，间接控制了HCN前驱体气体中碳的掺杂量，范围可达5×1019 cm-3。用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱仪(SIMS)、光致发光(PL)、显微拉曼光谱、霍尔效应测量和高分辨X射线衍射仪(HRXRD)对生长的薄膜进行了表征。与杂质掺入(O、Si、镁和锌)类似，碳的分布也不均匀，这是因为它在所谓的V型凹坑的小面上的掺入增加了。
Pseudo‐Halide Vapour Phase Epitaxy (PHVPE) was utilized to grow thick carbon doped GaN layers to study their suitability as semi‐insulating (SI) substrates. With in‐situ waste gas analysis by FTIR spectroscopy, the carbon doping from the HCN precursor gas was indirectly controlled in a wide range up to 5 × 1019cm–3. The grown layers were characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Photoluminescence (PL), Micro‐Raman‐Spectroscopy, Hall effect measurement, and High Resolution X‐Ray Diffractometry (HRXRD). Similar to the impurity incorporation (O, Si, Mg and Zn), carbon distribution proved to be inhomogeneous, due to its increased incorporation on facets of so‐called V‐pits.
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