100-MHz GaN-HEMT Class-G Supply Modulator for High-Power Envelope-Tracking Applications
100-MHz GaN-HEMT Class-G Supply Modulator for High-Power Envelope-Tracking Applications
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适用于高功率包络跟踪应用的 100MHz GaN-HEMT G 类电源调制器
DOI：
10.1109/tmtt.2016.2633987
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发表时间：
2017
影响因子：
4.3
通讯作者：
Bengtsson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nikolai;Heinrich;Wolfgang;Bengtsson
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DOI：
10.1109/mwsym.2000.861088
发表时间：
2000-06
期刊：
2000 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.00CH37017)
影响因子：
--
作者：
M. Ranjan;K. Koo;G. Hanington;C. Fallesen;P. Asbeck
通讯作者：
M. Ranjan;K. Koo;G. Hanington;C. Fallesen;P. Asbeck
离散电平电源调制射频功率放大器数字预失真的新模型
影响因子：
3
作者：
N. Wolff;W. Heinrich;O. Bengtsson
通讯作者：
O. Bengtsson
40 W G 类调制微波功率放大器的线性分析
DOI：
10.1109/eumic.2015.7345145
发表时间：
2015
期刊：
2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
影响因子：
--
作者：
N. Wolff;O. Bengtsson;Martin Schmidt;M. Berroth;W. Heinrich
通讯作者：
W. Heinrich
用于混合开关放大器电源调制器的基于 GaN-HEMT 的开关研究
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Perea;Martin Krellmann;O. Bengtsson;P. Landin;W. Heinrich
通讯作者：
W. Heinrich
新型低反向恢复电荷 (QRR) 高压硅二极管比目前可用的超快整流器具有更高的效率
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
2008 Twenty-Third Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition
影响因子：
--
作者：
J. Jovalusky
通讯作者：
J. Jovalusky