Facile Synthesis, Characterization, Nanocrystal Growth and Photoluminescence Properties of GeS Nanowires
Facile Synthesis, Characterization, Nanocrystal Growth and Photoluminescence Properties of GeS Nanowires
复制标题
GeS 纳米线的简易合成、表征、纳米晶体生长和光致发光特性
DOI：
10.1142/s179329201650140x
复制
发表时间：
2016-12
期刊：
影响因子：
1.2
通讯作者：
Yang Peihui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lai Zhiqiang;Guo Yanjie;Yang Peihui
作为一种IV-VI半导体材料，GES以其优异的性能赢得了广泛的关注。然而，GES纳米结构，特别是那些具有光致发光(PL)性质的纳米结构的例子还很少被报道。在优化了反应条件后，
As a IV–VI semiconductor, GeS is winning wide attention for its excellent properties. However, few examples of GeS nanostructures, especially those with photoluminescence (PL) properties, have been reported. After the optimization of reaction conditions,
登录
查看更多内容
DOI：
10.1007/s00339-010-5789-7
发表时间：
2010-06
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
Jie Yu;Heqing Yang;Ruyu Shi;Lihui Zhang;Hua Zhao;Xuewen Wang
通讯作者：
Jie Yu;Heqing Yang;Ruyu Shi;Lihui Zhang;Hua Zhao;Xuewen Wang
影响因子：
2.8
作者：
X. Wu;W. Song;B. Zhao;Y. Sun;J. Du
通讯作者：
X. Wu;W. Song;B. Zhao;Y. Sun;J. Du
影响因子：
8.6
作者：
S. Prabakar;A. Shiohara;S. Hanada;K. Fujioka;Kenji Yamamoto;R. Tilley
通讯作者：
S. Prabakar;A. Shiohara;S. Hanada;K. Fujioka;Kenji Yamamoto;R. Tilley
影响因子：
3.9
作者：
R. Bruchhaus;M. Honal;R. Symanczyk;M. Kund
通讯作者：
R. Bruchhaus;M. Honal;R. Symanczyk;M. Kund
影响因子：
8.6
作者：
Dimitri D. Vaughn;Du Sun;S. M. Levin;A. Biacchi;T. Mayer;R. Schaak
通讯作者：
Dimitri D. Vaughn;Du Sun;S. M. Levin;A. Biacchi;T. Mayer;R. Schaak