Strain in a silicon-on-insulator nanostructure revealed by 3D x-ray Bragg ptychography.
Strain in a silicon-on-insulator nanostructure revealed by 3D x-ray Bragg ptychography.
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DOI：
10.1038/srep09827
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发表时间：
2015-05-18
影响因子：
4.6
通讯作者：
Burghammer M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chamard V;Allain M;Godard P;Talneau A;Patriarche G;Burghammer M
明确定义的电子能带结构和专用功能的设计进展依赖于对复杂架构器件纳米级结构的高度控制。这包括对晶体结构中应变场的精确描述，这需要非侵入性和三维（3D）成像方法。在这里，我们将详细演示如何使用X射线布拉格重叠关联成像技术在3D中量化光刻图案化绝缘体上硅结构中的位移场。的结晶性能，这是从相干强度数据集的相位检索结果的图像，是从一个良好的控制优化的过程中，其中所有的步骤进行了详细说明。这些结果证实了三维布拉格重叠关联成像技术在材料科学中研究复杂纳米结构晶体的前景。
Progresses in the design of well-defined electronic band structure and dedicated functionalities rely on the high control of complex architectural device nano-scaled structures. This includes the challenging accurate description of strain fields in crystalline structures, which requires non invasive and three-dimensional (3D) imaging methods. Here, we demonstrate in details how x-ray Bragg ptychography can be used to quantify in 3D a displacement field in a lithographically patterned silicon-on-insulator structure. The image of the crystalline properties, which results from the phase retrieval of a coherent intensity data set, is obtained from a well-controlled optimized process, for which all steps are detailed. These results confirm the promising perspectives of 3D Bragg ptychography for the investigation of complex nano-structured crystals in material science.
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影响因子：
3.7
作者：
Harder, R.;Pfeifer, M. A.;Robinson, I. K.
通讯作者：
Robinson, I. K.
影响因子：
3.7
作者：
Mocuta, C.;Stangl, J.;Boeck, T.
通讯作者：
Boeck, T.
DOI：
10.1107/s0567739469001045
发表时间：
1969-01-01
期刊：
ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION A-CRYSTAL PHYSICS DIFFRACTION THEORETICAL AND GENERAL CRYSTALLOGRAPHY
影响因子：
--
作者：
HOPPE, W
通讯作者：
HOPPE, W
影响因子：
16.6
作者：
Godard, P.;Carbone, G.;Chamard, V.
通讯作者：
Chamard, V.
影响因子：
8.6
作者：
Schroer, C. G.;Boye, R.;Riekel, C.
通讯作者：
Riekel, C.